Description
С помощью этого устройства вы сможете автоматически обнаруживать транзисторы NPN и PNP, n-канальные и p-канальные МОП-транзисторы, диоды, тиристоры, резисторы, конденсаторы и многие другие компоненты. Также возможно измерить определенные характеристики этих устройств, такие как, например, коэффициент усиления тока BJT или пороговое напряжение затвора MOSFET и многое другое.
Функции
Автоматическое обнаружение транзисторов NPN и PNP, n-канальных и p-канальных МОП-транзисторов, диодов (включая двойной диод), тиристоров, резисторов и конденсаторов и других компонентов
Автоматическое тестирование контактов компонента и отображение на ЖК-дисплее
Обнаружение транзистора, коэффициента усиления защитного диода MOSFET и базы для определения напряжения прямого смещения эмиттерного транзистора
Измерение порогового напряжения затвора и емкости затвора MOSFET
Одновременное измерение двух резисторов с отображением символа резистора
Измерение обратной емкости одного диода
Измерения емкости, разрешение 1 пФ
Идентификация транзисторов Дарлингтона по пороговому напряжению база-эмиттер и коэффициенту усиления тока
Измерение коэффициента усиления тока биполярного транзистора и порогового напряжения база-эмиттер
16-символьный x 2-строчный ЖК-дисплей (ЖК-дисплей 12864 с зеленой подсветкой)
Диапазоны испытаний
Сопротивление: макс. 50 МОм, разрешение 0,1 Ом
Емкость: 25 пФ — 100000 мкФ
Индуктивность: 0,01 мГн — 20 Гн
